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非破壞性方式在晶片或器件內(nèi)進(jìn)行成像
WDI設(shè)計(jì)并制造了自動(dòng)紅外激光共聚焦顯微鏡 (IRLC)。
IRLC可以對(duì)硅晶片的表面之下和內(nèi)部進(jìn)行檢查, 使其內(nèi)部結(jié)構(gòu)以亞微米分辨率呈現(xiàn)。
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激光共聚焦顯微鏡多層檢測(cè)
由近紅外激光和掃描共聚焦組合而成的IRLC有著諸多優(yōu)勢(shì)。首先便是具備了對(duì)薄晶片的多層高分辨率圖像的采集能力；同時(shí)，IRLC具備更深的樣品穿透能力、更高的分辨率和更快的圖像采集速度；
近紅外優(yōu)化光路
系統(tǒng)包含了全套Olympus近紅外長(zhǎng)工作距離物鏡。這組物鏡專為硅晶圓的內(nèi)部結(jié)構(gòu)檢測(cè)而設(shè)計(jì)，采用優(yōu)化的近紅外光學(xué)系統(tǒng)，并配備專用的校正環(huán)以適應(yīng)不同后面的硅片或玻璃表面。
一鍵雙視野
IRLC包含一組可見(jiàn)光彩色成像系統(tǒng)和一組近紅外共聚焦系統(tǒng)。這種搭配可對(duì)樣品表面和底層（*深達(dá)800μm）同時(shí)成像。
由于采用了ATF6/0AA/ZAA技術(shù)（即實(shí)時(shí)快速自動(dòng)聚焦技術(shù)），IRLC實(shí)現(xiàn)了真正意義上的實(shí)時(shí)聚焦-不管觀察方式和樣品表面狀況如何變化，視野內(nèi)持續(xù)聚焦?fàn)顟B(tài)。
簡(jiǎn)潔的軟件界面
功能完善、操作簡(jiǎn)單，直觀的軟件界面設(shè)計(jì)旨在提高工作效率，簡(jiǎn)化檢測(cè)流程?；静倏毓δ馨▽?duì)照明、放大倍率、XYZ控制以及對(duì)焦補(bǔ)償?shù)膮?shù)調(diào)整。 載物臺(tái)移動(dòng)可通過(guò)軟件操控、手柄操控、或者簡(jiǎn)單地點(diǎn)擊實(shí)時(shí)畫(huà)面來(lái)完成。
高 級(jí)功能
線性XY “pointto point” 和 “pointto multipoint” 測(cè)量及高 級(jí)圖像采集選項(xiàng)可實(shí)現(xiàn)均幀、AveragedImage、Z軸序列采集、以及在兩點(diǎn)間圖像序列采集。
自動(dòng)檢測(cè)
集成了全電動(dòng)控制和自動(dòng)聚焦的IRLC，配合全自動(dòng)軟件可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)檢測(cè)流程，并可在同**程內(nèi)對(duì)多個(gè)樣品進(jìn)行檢測(cè)。
CIS（CMOS成像芯片）
很多CIS模塊已經(jīng)在像素上方加裝了保護(hù)面板和彩色濾光片，給檢測(cè)帶來(lái)很多困難。使用IRLC即可輕松看到表面之下的結(jié)構(gòu)特征。
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5X BF (Front)
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5X IRLC (Front)
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20X IRLC (Front)
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50X IRLC (Front)
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100X IRLC (Front)
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高摻雜半導(dǎo)體
從正面穿透金屬基板觀察是不可能實(shí)現(xiàn)的；使用IRLC從背面穿透300μm高摻雜硅可清晰觀察到該區(qū)域下的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
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10XBF (Front)
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20XIRLC (Back)
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50XIRLC (Back)
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100XIRLC (Back)
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低摻雜半導(dǎo)體
使用IRLC從背面穿透800μm低摻雜硅，刻蝕圖案清晰可見(jiàn)。
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5X BF (Front)
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20XIRLC (Back)
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50X IRLC (Back)
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100X RLC (Back)
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MEMS器件
僅使用明場(chǎng)觀察，表面細(xì)節(jié)清晰可見(jiàn)；使用IRLC，表面之下的MEMs結(jié)構(gòu)清晰可見(jiàn)。
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5X BF (Front)
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5X IRLC (Front)
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10XIRLC (Front)
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20XIRLC (Front)
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