系統(tǒng)
技術(shù)參數(shù)
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電動(dòng)XY平臺(tái)
200mm : 行程可達(dá)275 mm × 200 mm, 0.5 μm 分辨率
300mm : 行程可達(dá)400 mm × 300 mm, 0.5 μm分辨率, 1 μm重復(fù)性
電動(dòng) Z 平臺(tái)
25 mm Z行程距離,
0.08 μm分辨率, < 1 μm重復(fù)性
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電動(dòng)聚焦平臺(tái)
9 mm行程Z軸光學(xué)距離
樣品厚度
厚至20 mm
Full scan range Z run-out
< 2 nm, repeatability < 1nm
COGNEX圖像識(shí)別
圖像校正分辨率 1/4 pixel
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掃描器
性能
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XY掃描器
100 μm × 100 μm (大范圍模式)
50 μm × 50 μm (中范圍模式)
10 μm × 10 μm (小范圍模式)
具有閉環(huán)控制的單模塊撓性XY掃描器
XY掃描器分辨率
0.15 nm (大范圍模式)
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Z掃描器范圍
15 μm (大范圍模式)
2 μm (小范圍模式)
Z掃描器分辨率
0.016 nm (大范圍模式)
0.002 nm (小范圍模式)
Z掃描器噪聲
0.02 nm @ 1kHz
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AFM和XY移動(dòng)平臺(tái)
控制器
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ADC
18 channels
4個(gè)高速通道 ADC通道
X、Y和Z位置傳感器(24位ADC)
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DAC
17 channels
2個(gè)高速通道 ADC通道
X、Y和Z的定位(20位DAC)
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合規(guī)
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CE
SEMI S2/S8標(biāo)準(zhǔn)
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振動(dòng)，噪聲，靜電防護(hù)（ESD）性能
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地板振動(dòng)要求
< 0.5 μm/s (10 Hz to 200 Hz w/ Active Vibration Isolation System)
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噪音
>20 dB attenuation w/ Acoustic Enclosure
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基礎(chǔ)設(shè)施需求
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待機(jī)室溫
10 °C ~ 40 °C
工作室溫
18 °C ~ 24 °C
濕度
30%至60% (不凝結(jié))
地板振動(dòng)要求
VC-E (3 μm/sec)
噪音
低于65 dB
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氣動(dòng)式
真空度 : -80 kPa
CDA (or N2): 0.7 MPa
電源額定值
208V - 240 V,單相, 15 A (max)
總耗電量
Consult Park Systems
接地電阻
低于100歐姆
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選項(xiàng)
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自動(dòng)換針 (ATX)
ATX通過(guò)圖案識(shí)別自動(dòng)定位針尖，并使用一種新穎的磁性方法使用過(guò)的探針脫離并拾取新的探針。然后通過(guò)電動(dòng)定位技術(shù)自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)激光光斑。
總動(dòng)晶圓裝卸器 (EFEM or FOUP)
NX-Wafer可配置各種自動(dòng)晶圓裝卸器(Cassette 或 FOUP 或其他)。高精度、非破壞性的晶圓裝卸器的機(jī)器人臂充分確保用戶(hù)始終獲得快速可靠的晶圓測(cè)量。
用于更穩(wěn)定掃描環(huán)境的離子化系統(tǒng)
我們創(chuàng)新的離子化系統(tǒng)快速有效地去除了樣品環(huán)境中的靜電電荷。由于該系統(tǒng)總是產(chǎn)生并維持正負(fù)離子的理想平衡，因此它能夠在樣品處理期間產(chǎn)生極其穩(wěn)定的電荷環(huán)境，且對(duì)周?chē)鷧^(qū)域幾乎沒(méi)有污染，可將意外靜電電荷的風(fēng)險(xiǎn)*小化。
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尺寸 & 重量
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200 mm系統(tǒng)
2732 mm(w) × 1100 mm(d) x 2400 mm(h)
w/ EFEM, 2110 kg approx. (包括控制箱)
升限高度
2000 mm以上
操作者工作空間
*小3300 mm (w) x 1950 mm (d)
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300 mm系統(tǒng)
3486 mm(w) × 1450 mm(d) x 2400 mm(h)
w/ EFEM, 2950 kg approx. (包括控制箱)
升限高度
2000 mm以上
操作者工作空間
*小4770 mm (w) x 3050 mm (d)
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